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結果: 找到相關主題 639 個
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整流mos管,135v200a場效應管,toll封裝,?KCT2213A參數-KIA MOS管
KCT2213A場效應管漏源擊穿電壓135V，漏極電流200A ，采用先進的SGT技術，極低導通電阻RDS(開啟) 2.9mΩ，低柵極電荷（151nC），最小化開關損耗，性能卓越；改進的dv/dt能力測試，高堅固性，在同步整流、電機控制、鋰電池保護板中廣泛應用，高效穩(wěn)定?；封裝形式...www.enlve.com/article/detail/5753.html 2025-06-26
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穩(wěn)壓二極管(zener diode)的原理,工作狀態(tài)-KIA MOS管
穩(wěn)壓二極管(zener diode)，又叫齊納二極管；利用PN結反向擊穿狀態(tài)，呈現極小的電阻，其電流可在很大范圍內變化而電壓基本不變的現象，起穩(wěn)壓作用。www.enlve.com/article/detail/5752.html 2025-06-26
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單結晶體管(ujt)的工作原理,結構特性詳解-KIA MOS管
單結晶體管有三個電極，分別稱為第一基極b1、第二基極b2、發(fā)射極e。單結晶體管雖然有三個電極，但在結構上只有一個PN結，它是在一塊高電阻率的N型硅基片一側的兩端，各引出一個電極，分別稱第一基極b1和 第二基極b2。在硅片的另一側較靠近b2處，用擴散法摻入P型...www.enlve.com/article/detail/5751.html 2025-06-26
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dc直流轉換器,320a40v,?1004mos管,KCT1004M參數-KIA MOS管
KCT1004M場效應管漏源擊穿電壓40V, 漏極電流320A ，采用先進的SGT技術，高壓器件新技術，低導通電阻和低傳導損耗，性能優(yōu)越；?極低導通電阻RDS(開啟) 0.62mΩ，超低柵極電荷，降低驅動需求，最小化開關損耗；100%經過雪崩測試，可靠堅固，在DC直流轉換器、電機...www.enlve.com/article/detail/5750.html 2025-06-25
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MOS管開啟電壓定義,mos管開啟電壓一般多少-KIA MOS管
在電路中，MOS管的開啟電壓（通常指的是閾值電壓）決定了MOS管從截止狀態(tài)到導通狀態(tài)所需的柵源電壓（VGS）的最小值。對于NMOS管，當VGS大于Vth時，管子開始導通。www.enlve.com/article/detail/5749.html 2025-06-25
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FET詳解,MOSFET結構原理,場效應管作用-KIA MOS管
場效應管是一種電壓控制器件(晶體管是電流控制器件)，有很高的輸入阻抗，較大的功率增益，由于是電壓控制器件所以噪聲小。FET是根據三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極，柵極，漏極，源極。www.enlve.com/article/detail/5748.html 2025-06-25
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鋰電池保護板,?80v130a場效應管,2908mos管,?KNP2908C-KIA MOS管
KNP2908C場效應管漏源擊穿電壓80V, 漏極電流130A ，采用KIA的先進技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，低柵極電荷（典型值182nC)，最大限度地減少導通損耗，最小化開關損耗；具有快速的開關時間、出色的雪崩特性，高效穩(wěn)定；高耐用性、改進的dv/dt能力、1...www.enlve.com/article/detail/5747.html 2025-06-24
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ao3400參數,30v5.8a mos管,KIA3400參數代換-KIA MOS管
ao3400場效應管代換型號?KIA3400漏極電流4.8A，漏源擊穿電壓30V，采用先進的溝槽技術，極低導通電阻RDS(開啟)、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作，減少開關損耗，提高效率；符合ROHS標準、綠色環(huán)保，穩(wěn)定可靠；適用于電源管理、開關控制、功率放大、高頻信...www.enlve.com/article/detail/5746.html 2025-06-24
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ESD靜電防護標準,ESD測試標準和方法-KIA MOS管
1、esd靜電防護標準是GB21148-2020。這是我國關于靜電防護的主要標準之一，它規(guī)定了靜電防護的相關要求和測試方法該標準強調了對防靜電電阻值的要求。2、防靜電國家標準GB21148-2020 對防靜電電阻值要求為大于100kΩ和小于或等于1000MΩ，即100kΩ<電阻值≤...www.enlve.com/article/detail/5745.html 2025-06-24
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逆變器電源管理,150a80vmos管,KNM2808A場效應管參數-KIA MOS管
KNM2808A場效應管漏源擊穿電壓80V, 漏極電流150A ，RDS（ON）值為4mΩ，極低RDS（ON）和優(yōu)秀柵極電荷，最大限度地減少導通損耗，最小化開關損耗；高輸入阻抗、低功耗、開關速度快，高效穩(wěn)定；100%雪崩測試，可靠且堅固，無鉛和綠色設備可用（符合RoHS標準），在...www.enlve.com/article/detail/5744.html 2025-06-23
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氙氣燈安定器電路原理,作用詳解-KIA MOS管
氙氣燈安定器的原理是將汽車蓄電池的12V直流電壓，通過一系列電子轉換與控制步驟，產生一個瞬間23000V的點火高壓對燈頭進行點火，點亮后再維持 85V 的交流電壓。www.enlve.com/article/detail/5743.html 2025-06-23
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ss34二極管參數封裝圖,ss34二極管作用-KIA MOS管
SS34肖特基二極管，具有高速開關特性和低正向壓降，反向擊穿電壓可達40V，正向電流最大可達3A，適用于高頻整流和開關電路。ss34二極管常用在小電流的（模型）電調上，用于電路瞬間整流。www.enlve.com/article/detail/5742.html 2025-06-23
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同步整流,60v100a,3206場效應管,KCY3206B參數-KIA MOS管
KCY3206B場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流100A，使用先進的SGT MOSFET技術，高密度單元設計，實現?極低導通電阻RDS(on) 2.4mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，100% UIS測試通過、100%▽VDS測試通過，?高效穩(wěn)定；適用于DC-DC轉換器、電源管理功能、...www.enlve.com/article/detail/5741.html 2025-06-20
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二極管特性曲線,伏安特性曲線-KIA MOS管
當正向電壓超過某一數值后，二極管才有明顯的正向電流，該電壓值稱為導通電壓。在室溫下，硅管的V th約為0.5V，鍺管的V th約為0.1V。大于導通電壓的區(qū)域稱為導通區(qū)。www.enlve.com/article/detail/5740.html 2025-06-20